三星首創3D記憶體架構　HBM直接堆疊於AI晶片上

三星電子在「2026記憶體與儲存未來」大會發表zHBM及zNAND-O兩項業界首創概念技術，將高頻寬記憶體直接堆疊於AI處理器上方，以更低功耗實現更快的資料傳輸。